Chemical Vapor Deposition

释义 Definition

化学气相沉积（CVD）：一种在高温下将含有目标元素的气态前驱体引入反应腔体，使其在基底表面发生化学反应并沉积成固体薄膜的材料制备/镀膜工艺。常用于半导体、薄膜材料、涂层与纳米材料（如石墨烯、碳纳米管）的制备。

发音 Pronunciation

/ˈkɛmɪkəl ˈveɪpər dɪˈpɑːzɪʃən/

例句 Examples

Chemical vapor deposition is widely used to grow thin films in semiconductor manufacturing.
化学气相沉积广泛用于半导体制造中的薄膜生长。

By carefully tuning temperature, pressure, and gas flow, chemical vapor deposition can produce uniform, high-purity coatings on complex 3D surfaces.
通过精确调节温度、压力和气体流量，化学气相沉积可以在复杂的三维表面上制备均匀且高纯度的涂层。

词源 Etymology

该术语由三部分组成：chemical（化学的）+ vapor（蒸气/气相）+ deposition（沉积/沉积作用）。字面意思就是“以化学反应方式在气相条件下实现沉积”。它属于工程与材料科学中典型的描述性复合术语，强调工艺发生在气相并通过化学反应形成固体沉积层。

相关词 Related Words

• Atomic Layer Deposition
• Physical Vapor Deposition
• Sputtering
• Epitaxy
• Thin Film
• Precursor
• Substrate
• Reactor

文学作品 Literary Works

• 《Silicon VLSI Technology: Fundamentals, Practice and Modeling》（作者：James D. Plummer, Michael Deal, Peter B. Griffin）：在半导体工艺章节中系统讨论CVD及其在集成电路制造中的应用。
• 《VLSI Technology》（作者：S. M. Sze）：经典微电子工艺教材，涉及包括CVD在内的薄膜沉积方法与工艺原理。
• 《Chemical Vapor Deposition: Principles and Applications》（多作者学术专著/教材类）：以CVD为核心主题，覆盖反应机理、设备与应用场景。