photoresistivity（光致电阻率 / 光照电阻率）：指材料在光照条件下表现出的电阻率，或更常见地指电阻率因光照而产生的变化（与光生载流子导致的导电性改变相关）。该词在半导体与光电材料语境中较常见；有时也写作 photo-resistivity。
/ˌfoʊtoʊrɪˈzɪstɪvɪti/
Photoresistivity drops when the sample is exposed to light.
当样品被光照时，光致电阻率会下降。
The measured photoresistivity depends on wavelength, intensity, and trap states that affect carrier lifetime in the semiconductor.
测得的光致电阻率取决于波长、光强以及影响半导体载流子寿命的陷阱态。
由 **photo-**（“光、光照”，源自希腊语 phōs/phōt- “light”）+ resistivity（“电阻率”，由 resist “抵抗” + -ivity 名词后缀构成）组合而成，字面意思是“与光有关的电阻率（或电阻率变化）”。
该术语（或变体 photo-resistivity）多见于固体物理、半导体器件与光电材料的教材与学术论文中，常与 photoconductivity 并列讨论，例如：
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