Tunnel Magnetoresistance
释义 Definition（中文）
隧道磁阻（TMR）：一种出现在磁性隧道结（两层铁磁材料中间夹一层极薄绝缘层）的电学效应。当两层磁性材料的磁化方向平行或反平行时，电子隧穿的难易不同，导致器件电阻随磁化相对方向显著变化。该效应是 MRAM（磁阻随机存储器） 和多种磁传感器的核心原理之一。
发音 Pronunciation（IPA）
/ˈtʌnəl mæɡˌniːtoʊrɪˈzɪstəns/
例句 Examples（EN & ZH）
Tunnel magnetoresistance is used in many modern magnetic sensors.
隧道磁阻被用于许多现代磁传感器中。
By switching the magnetization from parallel to antiparallel, the device exhibits a large change in resistance due to tunnel magnetoresistance.
通过把磁化方向从平行切换到反平行，该器件会因隧道磁阻而表现出明显的电阻变化。
词源 Etymology（中文）
该术语由三部分构成：tunnel（隧道）指量子力学中的“隧穿”现象；magneto-（磁的）为表示“与磁有关”的构词成分；resistance（电阻）指电学电阻。合起来字面即“由隧穿机制导致的磁相关电阻变化”。这一表述在自旋电子学（spintronics）发展中被广泛使用，用来区分普通磁阻与发生在隧道结结构中的磁阻效应。
相关词 Related Words
文献与著作 Literary / Notable Works（出现来源）
- Jullière, M. (1975). Tunneling between ferromagnetic films. Physics Letters A（经典提出自旋极化与TMR关系的早期论文）
- Moodera, J. S. et al. (1995). Large magnetoresistance at room temperature in ferromagnetic thin film tunnel junctions. Physical Review Letters（室温大TMR的里程碑工作）
- Miyazaki, T. & Tezuka, N. (1995). Giant magnetic tunneling effect in Fe/Al2O3/Fe junction. Journal of Magnetism and Magnetic Materials（早期重要实验报道之一）
- Maekawa, S. (ed.). Concepts in Spin Electronics（自旋电子学书籍中系统讨论TMR的章节）
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